Вплив рівня освітлення на вихідні параметри сонячних елементів на основі CdS / CdTe/

Н. В. Дейнеко

Анотація


Наведено результати досліджень впливу рівня освітленості на вихідні параметри сонячних елементів на основі CdS / CdTe з тильними контактами, виготовленими згідно з різними варіантами конструктивно-технологічного рішення. На підставі отриманих результатів вихідних параметрів і світлових діодних характеристик обгрунтовано вибір оптимального конструктивно-технологічного рішення тильних контактів до сонячних елементів на основі CdS / CdTe. Показано, що використання наношару Cu дозволяє отримати деградаційно-стійкі сонячні елементи, які демонструють максимальну ефективність при рівні освітленості що характерна для Харківської області.


Ключові слова


плівковий сонячний елемент; гетероструктура; телурид кадмію; вихідні параметри; тильний контакт

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Bätzner, D. L., Romeo, A. H, Zogg, H., Tiwari, A. N. (2001). Development of efficient and stable back contacts on CdTe/CdS solar cells. Thin Solid Films, 387, 151–154. doi:10.1016/s0040-6090(01)00792-1

2 Yerokhov, V. Yu., Druzhynin, A. O., Yerokhova, O. V. (2015). Front surface texture formation of the solar cell by the porous silicon technology. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(5(73)), 4–9. doi:10.15587/1729-4061.2015.36754

Romeo, N., Bosio, A., Romeo, A. (2010). An innovative process suitable to produce high-efficiency CdTe/CdS thin-film modules. Solar Energy Materials and Solar Cells, 94 (1), 2–7. doi:10.1016/j.solmat.2009.06.001

In: Hill, R., Palz, W., Helm, P. (1994). Вandgap effects in thin-film heterojunction solar cells. Proceeding 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Amsterdam (Netherlands), 1315–1319.

5 Riech, I., Peña, J. L., Ares, O., Rios-Flores, A., Rejón-Moo, V., Rodríguez-Fragoso, P., Mendoza-Alvarez, J. G. (2012). Effect of annealing time of CdCl 2 vapor treatment on CdTe/CdS interface properties. Semiconductor Science and Technology, 27 (4), 045015. doi:10.1088/0268-1242/27/4/045015

Khrypunov, G., Bereznev, S., Meriuts, A., Kopach, G., Kovtun, N., Deyneko, N. (2010). Development оrganic вack сontact for thin-film CdS/CdTe solar cell. Physics And Chemistry of Solid State, 11 (1), 248–251.

Wu, H. Т. (2014). p-CdTe/n-CdS photovoltaic cells in the substrate configuration. Rochester: University of Rochester, 104.

Karpov, V. G., Shvydka, D., Roussillon, Y. (2005). Physics of CdTe Photovoltaics: from Front to Back. Materials Research Society Proceedings, 865, 307–318. doi:10.1557/proc-865-f10.1

Singh, V. P., Erickson, O. M., Chao, J. H. (1995). Analysis of contact degradation at the CdTe-electrode interface in thin film CdTe-CdS solar cells. Journal of Applied Physics, 78 (7), 4538–4543. doi:10.1063/1.359796

Kyrychenko, M. V., Zaitsev, R. V., Kopach, V. R., Khrypunov, H. S., Lisachuk, H. V.; assignee: National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute". (10.07.2008). Luminodiode lamp. Patent UA 33676, МПК: H01L 21/66, G01R 31/26. Bull. № 13, 3.


Пристатейна бібліографія ГОСТ


1. Bätzner, D. L. Development of efficient and stable back con-tacts on CdTe/CdS solar cells [Text] / D. L. Bätzner, A. Romeo , H. Zogg, A. N. Tiwari // Thin Solid Films. – 2001. – Vol. 387. – P. 151–154. doi:10.1016/s0040-6090(01)00792-1

2. Єрохов, В. Ю. Формування текстур фронтальної поверхні сонячного елемента технологією пористого кремнію [Текст] / В. Ю. Єрохов, А. О. Дружинін О. В. Єрохова // Східно-Європейський журнал передових технологій. – 2015. – № 1/5 (73). – С. 4–9. doi:10.15587/1729-4061.2015.36754

3. Romeo, N. An innovate process suitable to produce high efficiency CdTe/CdS thin film modules [Text] / N. Romeo, A. Bosio, A. Romeo // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2010. – Vol. 94, № 1. – P. 2–7. doi:10.1016/j.solmat.2009.06.001

4. Hill, R. Вandgap effects in thin-film heterojunction solar cells [Text] : Proceeding 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 11–15 April 1994, Amsterdam / by ed. R. Hill, W. Palz, P. Helm. – 1994. – P. 1315–1319.

5. Riech, I. Effect of annealing time of CdCl 2 vapor treatment on CdTe/CdS interface properties [Text] / I. Riech, J. L. Peña, O. Ares, A. Rios-Flores, V. Rejón-Moo, P. Rodríguez-Fragoso, J. G. Mendoza-Alvarez // Semiconductor Science and Technology. – 2012. – Vol. 27, № 4. – P. 045015. doi:10.1088/0268-1242/27/4/045015

6. Khrypunov, G. Development оrganic вack сontact for thin-film CdS/CdTe solar cell [Text] / G. Khrypunov, S. Bereznev, A. Meriuts, G. Kopach, N. Kovtun, N. Deyneko // Physics And Chemistry of Solid State. – 2010. – Vol. 11, № 1. – P. 248–251.

7. Wu, H. N. p-CdTe/n-CdS photovoltaic cells in the substrate configuration [Text] : PhD thesis / H. N. Wu. – Rochester, 2014. – 104 p.

8. Karpov, V. G. Physics of CdTe Photovoltaics: from Front to Back [Text] / V. G. Karpov, D. Shvydka, Y. Roussillon // Materials Research Society Proceedings. – 2005. – Vol. 865. ‒ P. 307–318. doi:10.1557/proc-865-f10.1

9. Singh, V. P. Analysis of contact degradation at the CdTe‐electrode interface in thin film CdTe‐CdS solar cells [Text] / V. P. Singh, O. M. Erickson, J. H. Chao // Journal of Applied Physics. – 2000. – Vol. 78, № 7. – P. 4538–4543. doi:10.1063/1.359796

10. Світлодіодний освітлювач [Текст] : пат. 33676 України, МПК: H01L 21/66, G01R 31/26 / Кіріченко М. В., Зайцев Р. В., Копач В. Р., Хрипунов Г. С., Лісачук Г. В.; заявитель и патентообладатель: Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут». – опубл. 10.07.2008, Бюл. № 13. – 3 с.



Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.




Copyright (c) 2016 Н. В. Дейнеко

Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution 4.0 International License.

ISSN 2411-2828 (Online), ISSN 2411-2798 (Print)