Вплив рівня освітлення на вихідні параметри сонячних елементів на основі CdS / CdTe/

Автор(и)

  • Н. В. Дейнеко Національний університет цивільного захисту України (Харьків, Україна), Україна

Ключові слова:

плівковий сонячний елемент, гетероструктура, телурид кадмію, вихідні параметри, тильний контакт

Анотація

Наведено результати досліджень впливу рівня освітленості на вихідні параметри сонячних елементів на основі CdS / CdTe з тильними контактами, виготовленими згідно з різними варіантами конструктивно-технологічного рішення. На підставі отриманих результатів вихідних параметрів і світлових діодних характеристик обгрунтовано вибір оптимального конструктивно-технологічного рішення тильних контактів до сонячних елементів на основі CdS / CdTe. Показано, що використання наношару Cu дозволяє отримати деградаційно-стійкі сонячні елементи, які демонструють максимальну ефективність при рівні освітленості що характерна для Харківської області.

Біографія автора

Н. В. Дейнеко, Національний університет цивільного захисту України (Харьків, Україна)

Кандидат технічних наук,

Кафедра прикладної механіки

Посилання

Bätzner, D. L., Romeo, A. H, Zogg, H., Tiwari, A. N. (2001). Development of efficient and stable back contacts on CdTe/CdS solar cells. Thin Solid Films, 387, 151–154. doi:10.1016/s0040-6090(01)00792-1

2 Yerokhov, V. Yu., Druzhynin, A. O., Yerokhova, O. V. (2015). Front surface texture formation of the solar cell by the porous silicon technology. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(5(73)), 4–9. doi:10.15587/1729-4061.2015.36754

Romeo, N., Bosio, A., Romeo, A. (2010). An innovative process suitable to produce high-efficiency CdTe/CdS thin-film modules. Solar Energy Materials and Solar Cells, 94 (1), 2–7. doi:10.1016/j.solmat.2009.06.001

In: Hill, R., Palz, W., Helm, P. (1994). Вandgap effects in thin-film heterojunction solar cells. Proceeding 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Amsterdam (Netherlands), 1315–1319.

5 Riech, I., Peña, J. L., Ares, O., Rios-Flores, A., Rejón-Moo, V., Rodríguez-Fragoso, P., Mendoza-Alvarez, J. G. (2012). Effect of annealing time of CdCl 2 vapor treatment on CdTe/CdS interface properties. Semiconductor Science and Technology, 27 (4), 045015. doi:10.1088/0268-1242/27/4/045015

Khrypunov, G., Bereznev, S., Meriuts, A., Kopach, G., Kovtun, N., Deyneko, N. (2010). Development оrganic вack сontact for thin-film CdS/CdTe solar cell. Physics And Chemistry of Solid State, 11 (1), 248–251.

Wu, H. Т. (2014). p-CdTe/n-CdS photovoltaic cells in the substrate configuration. Rochester: University of Rochester, 104.

Karpov, V. G., Shvydka, D., Roussillon, Y. (2005). Physics of CdTe Photovoltaics: from Front to Back. Materials Research Society Proceedings, 865, 307–318. doi:10.1557/proc-865-f10.1

Singh, V. P., Erickson, O. M., Chao, J. H. (1995). Analysis of contact degradation at the CdTe-electrode interface in thin film CdTe-CdS solar cells. Journal of Applied Physics, 78 (7), 4538–4543. doi:10.1063/1.359796

Kyrychenko, M. V., Zaitsev, R. V., Kopach, V. R., Khrypunov, H. S., Lisachuk, H. V.; assignee: National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute". (10.07.2008). Luminodiode lamp. Patent UA 33676, МПК: H01L 21/66, G01R 31/26. Bull. № 13, 3.

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-26

Номер

Том 4 (2016)

Розділ

Матеріалознавство

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Н. В. Дейнеко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.