Конструкторсько-технологічний аналіз польових гетеротранзисторів високої швидкодії для субмікронних структур ВІС/НВІС
Ключові слова:
польовий транзистор, гетероперехід, арсенід галію, двомірний електронний газАнотація
Проведено аналіз швидкодії гетероструктурних польових транзисторів із селективним легуванням (ПТГСЛ), багатоканальних ПТГСЛ та ПТГСЛ з оберненою структурою, а також польових транзисторів з гетерозатвором високої щільності. На практиці отримані ПТГСЛ із значенням часу затримки в кільцевому генераторі τD = 12,5-25 пс при Т = 300 К потужністю PD = 0,9-4,0 мВт. Використання таких транзисторів в комплементарних вентилях, дозволяє збільшити їх швидкодію в 2,5-3 раз, в порівнянні з кремнієвимиПосилання
1. Vakulin, I. N., Stafeev, V. I. (1980). Fizika poluprovodnikovyh priborov. Moscow: Sov. radio, 296.
2. Pozhela, Yu. K. (1989). Fizika bystrodejstvuyushchih tranzistorov. Vilnius: Mokslas, 264.
3. Moskalyuk, V. A., Timofeev, D. I., Fedyaj, A. V. (2012) Sverhbystrodejstvuyushchie pribory ehlektroniki. Kyiv: NTUU KPI, 480.
4. Lee, J. S., Kim, J. W., Lee, J. H. et al (2003). Reduction of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure FETs. Electron. Lett., 39(9), 705–752.
5. Shur, M. S. (2002). Low Ballistic Mobility in Submicron HEMT`s. IEEE Electron Device Letters, 23(9), 511–513.
6. Rudge, P., Miles, R., Steer, M., Snowden, C. (2001). Investigation Into Intermodulation Distortion in HEMT`s Using a Quasi-2-D Physical Model. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 49(12), 2315–2320.
7. Einspruch, N. G., Frensley, W. R. (1983). VLSI Electronics: Microstructure Science. Heterostructures and Quantum Devices. San Diego: Academic Press, Inc., 452.
8. Kasemsuwan, V., Nikali, A. A. (1997). Microwave Model for High Electron Mobility Transistors. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 45(3), 420–427.
9. Chu, R., Zhou, Y., Liu, J. et al (2005). AlGaN-GaN Double-Channel HEMTs. IEEE Transactions On Electron Devices, 52(4), 438–445.
10. Yao, J., Cai, J., Opper, H. et al (2009). Comparison of theory and experiment in a modified BICFET/HFET structure. Solid-State Electronics, 53(9), 979–987.
11. Borgarino, M., Sozzi, G., Mazzanti, A., Verzellesi, G. (2001). Gate-lag effects in AlGaAs/GaAs power HFET's. Microelectronics Reliability, 41(9-10) 1585–1589.
12. Sikder, M. J., Valizadeh, P. (2013). Scalability of the drain-current drive of AlGaN/GaN HFETs with gate-length. Solid-State Electronics, 89, 105–110.
13. Aggarwal, R., Agrawal, A., Gupta, M., Gupta, R. S. (2011). Improved linearity performance of AlGaN/GaN MISHFET over conventional HFETs: An optimization study for wireless infrastructure applications. Superlattices and Microstructures, 50(1), 1–13.
14. Aggarwal, R., Agrawal, A., Gupta, M., Gupta, R. S. (2007). Gate dielectric engineering of quarter sub micron AlGaN/GaN MISHFET: A new device architecture for improved transconductance and high cut-off frequency. Solid-State Electronics, 52(10), 1610–1614.
15. Tian, F., Chor, E. F. (2010). Physical and electrical characteristics of hafnium oxide films on AlGaN/GaN heterostructure grown by pulsed laser deposition. Thin Solid Films, 518(24), 121–124.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Степан Петрович Новосядлий, Сергій Іванович Бойко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
